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關鍵詞：3d芯片 硅通孔測試 開路故障 短路故障 

摘要：硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)在制造過程中發生開路和短路等故障會嚴重影響3D芯片的可靠性和良率,因此對綁定前的TSV進行故障測試是十分必要的.現有的綁定前TSV測試方法仍存在故障覆蓋不完全、面積開銷大和測試時間大等問題.為解決這些問題,本文介紹一種基于邊沿延時翻轉的綁定前TSV測試技術.該方法主要測量物理缺陷導致硅通孔延時的變化量,并將上升沿和下降沿的延時分開測量以便消除二者的相互影響.首先,將上升沿延時變化量轉化為對應寬度的脈沖信號;然后,通過脈寬縮減技術測量出該脈沖的寬度;最后,通過觸發器的狀態提取出測量結果并和無故障TSV參考值進行比較.實驗結果表明,本文脈寬縮減測試方法在故障測量范圍、面積開銷等方面均有明顯改善.

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