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關鍵詞：還原氧化石墨烯 四針狀氧化鋅 復合陰極 場致電子發(fā)射 

摘要：通過絲網(wǎng)印刷將四針狀納米氧化鋅(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,T-ZnO)轉移到電極表面,采用旋涂的方法在T-ZnO陣列上方形成連續(xù)的、懸浮結構的還原石墨烯(reduced graphene oxide,rGO)層薄膜,制備出以T-ZnO為支撐層的T-ZnO/rGO復合薄膜冷陰極。實驗表明:相對于T-ZnO陰極,T-ZnO/rGO薄膜陰極發(fā)射電流密度提高、開啟場強與閾值場強降低,其開啟場強為2.5 V/μm(電流密度10μA/cm^2),閾值電場為3.8 V/μm(電流密度為1 mA/cm^2),具有良好的場發(fā)射性能。

光電子技術雜志要求:

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{3}本刊歡迎具有學術性、前沿性、思想性的稿件， 對選題獨特、視角新穎、有創(chuàng)見的文稿尤為重視。

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