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關鍵詞：4 摻雜 tio 密度泛函理論 

摘要：采用密度泛函理論與周期性平板模型相結合的方法,在GGA/PW91/DNP水平上研究了Si摻雜4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑(DTBT-Si)在TiO2(100)表面的吸附。通過吸附前后化合物DTBT-Si的Mulliken charge和前線軌道分析表明:當DTBT-Si吸附在TiO2(100)表面時,DTBT-Si表面向TiO2(100)轉移0.923e電荷,同時前線軌道能隙變窄。

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