購物車(0)
一億顆出貨量之后,FD-SOI還要翻越哪些山丘?
王樹一 TechSugar
關(guān)鍵詞：出貨量 finfet 半導(dǎo)體工藝 山丘 絕緣體上硅
摘要：2000年前后,胡正明教授公布FinFET(鰭式晶體管)與FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator,全耗盡型絕緣體上硅)技術(shù),為25納米及以下半導(dǎo)體工藝發(fā)展指明方向。臺(tái)積電和英特爾都選擇了FinFET工藝,這使其成為邏輯工藝的主流方向.
中國集成電路雜志要求:
{1}稿件應(yīng)包括作者姓名、單位、職稱、聯(lián)系電話、通訊地址、電郵地址。
{2}提倡一稿專投、反對(duì)一文多用，凡已在公開出版物、互聯(lián)網(wǎng)上發(fā)表的文章，一律不予以采用。
{3}文章大標(biāo)題不超過20字，要簡明、具體、可以概括全文，特別有必要的時(shí)候可以加副標(biāo)題。
{4}參考文獻(xiàn)：論文中直接或間接引用他人研究成果的，均需標(biāo)注參考文獻(xiàn)。
{5}摘要中文摘要400～500字，必須標(biāo)明：目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4部分，有對(duì)應(yīng)的英文，英文摘要須包括：OBJECTIVE,METHODS,RESULTS,CONCLUSIONS。最好將本文創(chuàng)新點(diǎn)寫在結(jié)論部分。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
